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KRi 射頻離子源 Gridded RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
離子源     霍爾離子源                                           射頻離子源                       考夫曼離子源                              離子源自動控制器

射頻離子源 RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

射頻離子源 RFICP 380

上海伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用,

射頻離子源 RFICP 220

射頻離子源 RFICP 220
尺寸:直徑= 16.1“ 高= 11.8”
離子束動能: 100-1200 V
電流: >1A

射頻離子源 RFICP220

射頻離子源 RFICP 140

KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 可以輸出最大 600 mA 離子流

射頻離子源 RFICP 100

 KRI 射頻離子源 RFICP 100 緊湊設計,適用于離子濺鍍和離子蝕刻.小尺寸設計但是可以輸出最大 400 mA 離子流

射頻離子源 RFICP 40

KRI 射頻離子源 RFICP 40, 尺寸小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內

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