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KRi 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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考夫曼離子源創始人 Dr. Harold Kaufman

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研發生產商用離子源
2016 年入選美國太空總署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

射頻離子源 RFICP 系列

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

型號

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 系列

離子源通過加熱燈絲產生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

型號

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

離子束流

>10 mA

>100 mA

>250 mA

>400 mA

>650 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

1 cm Φ

4 cm Φ

7.5 cm Φ

12 cm Φ

16 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

KRI 霍爾離子源 eH 系列

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源

型號

eH 200

eH 400

eH 1000

eH 2000

eH 3000

離子束流

2A

5A

10A

10A

20A

離子動能

30-300 V

50-300 V

100-300 V

50-250 V

50-250 V

柵極直徑

2.5”

3.7”

5.7”

5.7”

9.7”

離子束

> 45°散射

射頻離子源 RFICP 380

上海伯東美國 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層柵極設計, 柵極口徑 38cm, 提供離子動能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應用,

射頻離子源 RFICP 220

射頻離子源 RFICP 220
尺寸:直徑= 16.1“ 高= 11.8”
離子束動能: 100-1200 V
電流: >1A

射頻離子源 RFICP220

KRI 霍爾離子源 eH 400

霍爾離子源 eH 400
尺寸:直徑= 3.7“ 高= 3”
離子束動能: 50-300eV
電流: 5a

霍爾離子源 eh400

KRI 霍爾離子源 eH 1000

霍爾離子源 eH 1000
尺寸:直徑= 5.7“ 高= 5.5”
離子束動能: 50-300V
電流: 10A

霍爾離子源

射頻離子源 RFICP 140

KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 可以輸出最大 600 mA 離子流

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

考夫曼離子源 KDC 75
尺寸: 直徑= 5.5“ 高= 7.9”
離子束動能: 100-1200 eV
電流: 250 mA

考夫曼離子源

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