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電子束蒸鍍設備, 磁控濺射鍍膜

上海伯東代理各類濺射鍍膜機, 蒸發鍍膜機, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam 等設備, 滿足研發和工業生產的高質量薄膜要求,

電子束蒸發鍍膜機 E-Beam

 EBS-150
 真空度 5E-8 torr, 最大 8inch 樣品

電子束蒸發

 EBS-150 UHV
 真空度 5E-10 torr, 最大 6inch 樣品

 EBS-300 Dual
 真空度 5E-7 torr, 雙 E-gun

磁控濺射鍍膜機 Sputter

Sputter 16
真空度 2E-10 torr

磁控濺射鍍膜機

Sputter 24
真空度 5E-10 torr

離子刻蝕 IBE

 IBE
 真空度 5E-10 torr, 離子源 RFICP 100

離子蝕刻 IBE

 IBE
 真空度 5E-10 torr , 離子源 KDC 75

分子束外延 MBE-10

分子束外延設備在長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物 (因為我們有獨步全球的激光加熱器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

MBE-10

分子束外延 MBE-8

MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, 最大容量 40cc

分子束外延 MBE

脈沖激光沉積 PLD-18L

脈沖激光沉積設備 PLD-18L, 它可以與濺射槍, 積液池, 高壓流變, 激光束控制相結合,可以放置 8×1 英寸的樣品或 4×2 英寸的樣品,

脈沖激光沉積 PLD-18L

磁控共濺鍍設備 Co-Sputter

上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了精準控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRI 離子源, 為客戶提供品質保證的復合式薄膜, 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池等行業以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等. 客制化基板尺寸, 最大直徑可達12寸晶圓.

超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷, 來保護機構以確保長時間運轉的穩定.

多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter

上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉機構, 搭配美國 KRI 離子源可實現精準的多層膜結構并可以一次批量生產.

連續式多腔磁控濺鍍設備 In-Line sputter

上海伯東代理的連續式多腔磁控濺鍍設備可精確控制其濺鍍制程條件, 為客戶提供最優質的薄膜, 廣泛應用于納米研究技術, 材料研究, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究, 太陽能電池和觸碰螢幕等行業.

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