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超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter
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超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter
超高真空環境的特征為其真空壓力低于 10-8 至 10-12托, 超高真空環境對于科學研究非常重要, 因實驗通常要求在整個過程中, 表面應保持無污染狀態并可使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用, 而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環境下使用濺鍍系統以提供高質量的薄膜.

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

超高真空磁控濺鍍設備配置和優點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
優異的薄膜均勻度小于±3%
磁控濺鍍源(最多8個源), 靶材尺寸多種可選
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電與導電靶材
精準流量控制器(最多4條氣體管線)
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材的間距可調節
每個濺鍍源和基板均安裝遮板

超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter

上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷, 來保護機構以確保長時間運轉的穩定.

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上海伯東超高真空磁控濺鍍設備選件
超高真空磁控濺鍍設備可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起, 配備美國 KRI 離子源, 熱蒸發源, 電子束. 基板可用射頻或直流偏壓, 射頻等離子清潔用于基材, 搭配使用膜厚監測儀, OES、RGA 或制程監控的額外備用端口.

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