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KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean
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KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean

KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean
上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 400F 成功應用于 6寸硅片電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝 Pre-clean.
KRi霍爾離子源 EH400
電源管理集成電路芯片鍍膜時常用的材料, 例如: 鈮酸鋰 LiNbO3 , 鈦酸鋇 BaTi03 , 鋯鈦酸鉛 PTZ, 氧化鋅 ZnO , 氮化鋁 AiN … 膜層與硅片會有脫膜及電性阻抗問題. 美國 KRI 霍爾離子源有最高廣角的涵蓋面積 >45?, 及高解離率獲得高密度的離子濃度, 在電源管理集成電路芯片 PMIC  的壓電材料鍍膜前有效的將硅片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產良率.

電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝
設備: 5只靶材復合性濺鍍機
基材: 6 存硅片
真空系統: 上海伯東美國 HVA 高真空插板閥 + 伯東 Pfeiffer 全磁浮分子泵
KRi 霍爾離子源: EH 400F
預清潔工藝離子源條件: Vd:120V (離子束陽極電壓), Id:3.5A (離子束陽極電流), Ar gas: 20sccm (氬氣).
KRi 霍爾離子源 EH400
KRi 霍爾離子源腔體中 KRi 霍爾離子源 EH 400 本體, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

上海伯東美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機尺寸, 基材尺寸, 工藝條件選擇適合型號

型號

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

離子束陽極電壓

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

離子束陽極電流

5A

10A

10A

20A

散射角度

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

本體高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可選

可選

可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode;

若您需要進一步的了解 KRi 離子源詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109              T: +886-3-567-9508 ext 161
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qq: 2821409400 
www.37res.com                        www.hakuto-vacuum.com.tw

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