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KRI 離子源應用
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
常見的工藝應用 |
簡稱 |
In-Situ Substrate Preclean 基片預清洗 |
PC |
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 離子束材料和表面改性 |
IBSM |
Ion Beam Assisted Deposition 離子束輔助沉積 |
IBAD |
Ion Beam Etching 離子蝕刻 |
IBE |
Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積 |
IBSD |
Direct Deposition 直接沉積 |
DD |
作為一種新興的材料加工技術, 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業涉及精密光學, 半導體制造, 傳感器, 醫學等多個領域.
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精密薄膜控制 |
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半導體 |
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蝕刻晶元 |
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MEMS, 傳感器和顯示器 |
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精密光學 |
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磁數據存儲 |
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